2SK879-GR(TE85L,F) - JFET N-CH 0.1W USM
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
JFET N-CH 0.1W USM
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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3315180 Pieces
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Specifiche per 2SK879-GR(TE85L,F)
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
2SK879-GR(TE85L,F)
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
JFET N-CH 0.1W USM
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
-
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
2.6mA @ 10V
Scarico corrente (Id) - max :
-
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id :
400mV @ 100nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
8.2pF @ 10V
Resistenza - RDS (On) :
-
Potenza - Max :
100mW
temperatura di esercizio :
125°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore :
USM
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per 2SK879-GR(TE85L,F)
Schede tecniche :
2SK879-GR(TE85L,F).pdf
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