2SK879-GR(TE85L,F) Scheda dati
Specifiche per 2SK879-GR(TE85L,F)
Numero parte : 2SK879-GR(TE85L,F)
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : JFET N-CH 0.1W USM
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) : -
Drain to Source Voltage (Vdss) : -
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 2.6mA @ 10V
Scarico corrente (Id) - max : -
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id : 400mV @ 100nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 8.2pF @ 10V
Resistenza - RDS (On) : -
Potenza - Max : 100mW
temperatura di esercizio : 125°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore : USM
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
JFET N-CH 0.1W USM
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3315180 pezzi
Prezzo di riferimento
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