IPB024N10N5ATMA1 - MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

codice articolo del costruttore

IPB024N10N5ATMA1

Numero parte interna

AX-IPB024N10N5ATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

171030 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IPB024N10N5ATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPB024N10N5ATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 183µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 138nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 10200pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 250W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO263-7

Pacchetto / caso : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPB02 , IPB024N1

Documenti per IPB024N10N5ATMA1

Schede tecniche : IPB024N10N5ATMA1.pdf

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