IPB024N10N5ATMA1 Scheda dati
Specifiche per IPB024N10N5ATMA1
Numero parte : IPB024N10N5ATMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 183µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 138nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 10200pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 250W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO263-7
Pacchetto / caso : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
171030 pezzi
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