NVMFS5H663NLT1G - T8 60V LOW COSS

codice articolo del costruttore

NVMFS5H663NLT1G

Numero parte interna

AX-NVMFS5H663NLT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

T8 60V LOW COSS

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

896825 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.31284~~

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Specifiche per NVMFS5H663NLT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVMFS5H663NLT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : T8 60V LOW COSS

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16.2A (Ta), 67A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 56µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1131pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.7W (Ta), 63W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVMFS , NVMFS5H

Documenti per NVMFS5H663NLT1G

Schede tecniche : NVMFS5H663NLT1G.pdf

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