NVMFS5H663NLT1G Scheda dati
Specifiche per NVMFS5H663NLT1G
Numero parte : NVMFS5H663NLT1G
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : T8 60V LOW COSS
Serie : Automotive, AEC-Q101
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16.2A (Ta), 67A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 56µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1131pF @ 30V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.7W (Ta), 63W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
T8 60V LOW COSS
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
896825 pezzi
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