IRLS4030-7PPBF - MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

codice articolo del costruttore

IRLS4030-7PPBF

Numero parte interna

AX-IRLS4030-7PPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

51774 Pieces

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Specifiche per IRLS4030-7PPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRLS4030-7PPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

Serie : HEXFET®

Stato parte : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 190A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 110A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 11490pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 370W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK (7-Lead)

Pacchetto / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRLS , IRLS403

Documenti per IRLS4030-7PPBF

Schede tecniche : IRLS4030-7PPBF.pdf

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