IRLS4030-7PPBF Scheda dati
Specifiche per IRLS4030-7PPBF
Numero parte : IRLS4030-7PPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Serie : HEXFET®
Stato parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 190A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 11490pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 370W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK (7-Lead)
Pacchetto / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
51774 pezzi
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