IXFN50N120SK - MOSFET N-CH
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXFN50N120SK
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
12528 Pieces
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Specifiche per IXFN50N120SK
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IXFN50N120SK
fabbricante :
IXYS
Descrizione :
MOSFET N-CH
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
48A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
115nC @ 20V
Vgs (massimo) :
+20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1895pF @ 1000V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
-
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-227B
Pacchetto / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IXFN50N120SK
Schede tecniche :
IXFN50N120SK.pdf
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