IXFN50N120SK Scheda dati
Specifiche per IXFN50N120SK
Numero parte : IXFN50N120SK
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 48A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 115nC @ 20V
Vgs (massimo) : +20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1895pF @ 1000V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : -
temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227B
Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXFN50N120SK
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
12528 pezzi
Prezzo di riferimento
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