BSS192PE6327 - MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

codice articolo del costruttore

BSS192PE6327

Numero parte interna

AX-BSS192PE6327

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

65970 Pieces

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Specifiche per BSS192PE6327

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSS192PE6327

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 190mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 130µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 104pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-SOT89

Pacchetto / caso : TO-243AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSS1 , BSS192

Documenti per BSS192PE6327

Schede tecniche : BSS192PE6327.pdf

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