BSS192PE6327 Scheda dati
Specifiche per BSS192PE6327
Numero parte :
BSS192PE6327
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
Serie :
SIPMOS®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
190mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
104pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-SOT89
Pacchetto / caso :
TO-243AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-BSS192PE6327
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
65970 pezzi
Prezzo di riferimento
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