JAN2N6849 - MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39

codice articolo del costruttore

JAN2N6849

Numero parte interna

AX-JAN2N6849

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

17944 Pieces

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Specifiche per JAN2N6849

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : JAN2N6849

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39

Serie : Military, MIL-PRF-19500/564

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34.8nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 800mW (Ta), 25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-39

Pacchetto / caso : TO-205AF Metal Can

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per JAN2N6849

Schede tecniche : JAN2N6849.pdf

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