JAN2N6849 Scheda dati
Specifiche per JAN2N6849
Numero parte : JAN2N6849
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
Serie : Military, MIL-PRF-19500/564
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34.8nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 800mW (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-39
Pacchetto / caso : TO-205AF Metal Can
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-JAN2N6849
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
17944 pezzi
Prezzo di riferimento
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