APTM10DHM09T3G - MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

codice articolo del costruttore

APTM10DHM09T3G

Numero parte interna

AX-APTM10DHM09T3G

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

28315 Pieces

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Specifiche per APTM10DHM09T3G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APTM10DHM09T3G

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Serie : POWER MOS V®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 139A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9875pF @ 25V

Potenza - Max : 390W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : SP3

Pacchetto dispositivo fornitore : SP3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APTM , APTM10D

Documenti per APTM10DHM09T3G

Schede tecniche : APTM10DHM09T3G.pdf

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