APTM10DHM09T3G Scheda dati
Specifiche per APTM10DHM09T3G
Numero parte : APTM10DHM09T3G
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Serie : POWER MOS V®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9875pF @ 25V
Potenza - Max : 390W
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : SP3
Pacchetto dispositivo fornitore : SP3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
28315 pezzi
Prezzo di riferimento
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