GSID600A120S4B1 - SILICON IGBT MODULES
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
SILICON IGBT MODULES
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
4464 Pieces
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Specifiche per GSID600A120S4B1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
GSID600A120S4B1
fabbricante :
Global Power Technologies Group
Descrizione :
SILICON IGBT MODULES
Serie :
Amp+™
Stato parte :
Active
Tipo IGBT :
-
Configurazione :
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) :
1130A
Potenza - Max :
3060W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 600A
Corrente - Limite del collettore (max) :
1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce :
51nF @ 25V
Ingresso :
Standard
Termistore NTC :
Yes
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto / caso :
Module
Pacchetto dispositivo fornitore :
Module
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per GSID600A120S4B1
Schede tecniche :
GSID600A120S4B1.pdf
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