GSID600A120S4B1 Scheda dati
Specifiche per GSID600A120S4B1
Numero parte : GSID600A120S4B1
fabbricante : Global Power Technologies Group
Descrizione : SILICON IGBT MODULES
Serie : Amp+™
Stato parte : Active
Tipo IGBT : -
Configurazione : Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 1130A
Potenza - Max : 3060W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 600A
Corrente - Limite del collettore (max) : 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce : 51nF @ 25V
Ingresso : Standard
Termistore NTC : Yes
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : Module
Pacchetto dispositivo fornitore : Module
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
SILICON IGBT MODULES
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4464 pezzi
Prezzo di riferimento
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