SI7119DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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983190 Pieces
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Specifiche per SI7119DN-T1-GE3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI7119DN-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
666pF @ 50V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso :
PowerPAK® 1212-8
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI7119DN-T1-GE3
Schede tecniche :
SI7119DN-T1-GE3.pdf
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