SI7119DN-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SI7119DN-T1-GE3
Numero parte : SI7119DN-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio : -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
983190 pezzi
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