CDBJSC5650-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

codice articolo del costruttore

CDBJSC5650-G

Numero parte interna

AX-CDBJSC5650-G

fabbricante

Comchip Technology

Breve descrizione

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

189310 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 1.482~~

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Specifiche per CDBJSC5650-G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CDBJSC5650-G

fabbricante : Comchip Technology

Descrizione : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Silicon Carbide Schottky

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V

Corrente: media rettificata (Io) : 5A (DC)

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 5A

Velocità : No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 100µA @ 650V

Capacità @ Vr, F : 430pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220F

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CDBJ , CDBJSC

Documenti per CDBJSC5650-G

Schede tecniche : CDBJSC5650-G.pdf

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