CDBJSC5650-G Scheda dati
Specifiche per CDBJSC5650-G
Numero parte : CDBJSC5650-G
fabbricante : Comchip Technology
Descrizione : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V
Corrente: media rettificata (Io) : 5A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 5A
Velocità : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 100µA @ 650V
Capacità @ Vr, F : 430pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220F
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CDBJSC5650-G
fabbricante
Breve descrizione
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
189310 pezzi
Prezzo di riferimento
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