APTMC120AM08CD3AG - MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per APTMC120AM08CD3AG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : APTMC120AM08CD3AG
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 10mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 490nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9500pF @ 1000V
Potenza - Max : 1100W
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : D-3 Module
Pacchetto dispositivo fornitore : D3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : APTMC , APTMC120

Documenti per APTMC120AM08CD3AG

Schede tecniche : APTMC120AM08CD3AG.pdf

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