APTMC120AM08CD3AG Scheda dati
Specifiche per APTMC120AM08CD3AG
Numero parte :
APTMC120AM08CD3AG
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 10mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
490nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
9500pF @ 1000V
Potenza - Max :
1100W
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto / caso :
D-3 Module
Pacchetto dispositivo fornitore :
D3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
8996 pezzi
Prezzo di riferimento
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