SQ4961EY-T1_GE3 - MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8

codice articolo del costruttore

SQ4961EY-T1_GE3

Numero parte interna

AX-SQ4961EY-T1_GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

594005 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per SQ4961EY-T1_GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SQ4961EY-T1_GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1140pF @ 25V

Potenza - Max : 3.3W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SQ496 , SQ4961E

Documenti per SQ4961EY-T1_GE3

Schede tecniche : SQ4961EY-T1_GE3.pdf

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