SQ4961EY-T1_GE3 Scheda dati
Specifiche per SQ4961EY-T1_GE3
Numero parte : SQ4961EY-T1_GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1140pF @ 25V
Potenza - Max : 3.3W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
594005 pezzi
Prezzo di riferimento
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