H7N1002LS-E - MOSFET N-CH 100V LDPAK

codice articolo del costruttore

H7N1002LS-E

Numero parte interna

AX-H7N1002LS-E

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V LDPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

52746 Pieces

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Specifiche per H7N1002LS-E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : H7N1002LS-E

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 100V LDPAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 75A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9700pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-LDPAK

Pacchetto / caso : SC-83

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : H7N , H7N10

Documenti per H7N1002LS-E

Schede tecniche : H7N1002LS-E.pdf

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