H7N1002LS-E Scheda dati
Specifiche per H7N1002LS-E
Numero parte : H7N1002LS-E
fabbricante : Renesas Electronics America
Descrizione : MOSFET N-CH 100V LDPAK
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 75A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9700pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 4-LDPAK
Pacchetto / caso : SC-83
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-H7N1002LS-E
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V LDPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
52746 pezzi
Prezzo di riferimento
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