FDFS2P106A - MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

FDFS2P106A

Numero parte interna

AX-FDFS2P106A

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

730650 Pieces

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Specifiche per FDFS2P106A

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDFS2P106A

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 714pF @ 30V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max) : 900mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDF , FDFS2

Documenti per FDFS2P106A

Schede tecniche : FDFS2P106A.pdf

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