FDFS2P106A Scheda dati
Specifiche per FDFS2P106A
Numero parte : FDFS2P106A
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 714pF @ 30V
Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) : 900mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDFS2P106A
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
730650 pezzi
Prezzo di riferimento
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