SIA850DJ-T1-GE3 - MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

codice articolo del costruttore

SIA850DJ-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SIA850DJ-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

15832 Pieces

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Specifiche per SIA850DJ-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIA850DJ-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

Serie : LITTLE FOOT®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 190V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 950mA (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 90pF @ 100V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max) : 1.9W (Ta), 7W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIA85 , SIA850D

Documenti per SIA850DJ-T1-GE3

Schede tecniche : SIA850DJ-T1-GE3.pdf

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