Specifiche per SIA850DJ-T1-GE3

Numero parte : SIA850DJ-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Serie : LITTLE FOOT®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 190V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 950mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 90pF @ 100V
Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) : 1.9W (Ta), 7W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
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quantità disponibile
15832 pezzi
Prezzo di riferimento
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