SIDR626DP-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 60V

codice articolo del costruttore

SIDR626DP-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SIDR626DP-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CHAN 60V

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

343005 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per SIDR626DP-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIDR626DP-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CHAN 60V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 42.8A (Ta), 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 102nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5130pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8DC

Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIDR6 , SIDR626D

Documenti per SIDR626DP-T1-GE3

Schede tecniche : SIDR626DP-T1-GE3.pdf

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