SIDR626DP-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SIDR626DP-T1-GE3
Numero parte : SIDR626DP-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CHAN 60V
Serie : TrenchFET® Gen IV
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 102nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5130pF @ 30V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8DC
Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CHAN 60V
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
343005 pezzi
Prezzo di riferimento
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