RJK2009DPM-00#T0 - MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

codice articolo del costruttore

RJK2009DPM-00#T0

Numero parte interna

AX-RJK2009DPM-00#T0

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

17232 Pieces

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Specifiche per RJK2009DPM-00#T0

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RJK2009DPM-00#T0

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 60W (Tc)

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3PFM

Pacchetto / caso : TO-3PFM, SC-93-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per RJK2009DPM-00#T0

Schede tecniche : RJK2009DPM-00#T0.pdf

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