RJK2009DPM-00#T0 Scheda dati
Specifiche per RJK2009DPM-00#T0
Numero parte : RJK2009DPM-00#T0
fabbricante : Renesas Electronics America
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 60W (Tc)
temperatura di esercizio : -
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3PFM
Pacchetto / caso : TO-3PFM, SC-93-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
17232 pezzi
Prezzo di riferimento
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