BSO200N03 - MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-BSO200N03
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
26656 Pieces
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Specifiche per BSO200N03
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
BSO200N03
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Serie :
OptiMOS™
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1010pF @ 15V
Potenza - Max :
1.4W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-DSO-8
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per BSO200N03
Schede tecniche :
BSO200N03.pdf
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