BSO200N03 Scheda dati
Specifiche per BSO200N03
Numero parte : BSO200N03
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1010pF @ 15V
Potenza - Max : 1.4W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-DSO-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-BSO200N03
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
26656 pezzi
Prezzo di riferimento
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