BSO612CVGHUMA1 - MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1050655 Pieces
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Specifiche per BSO612CVGHUMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
BSO612CVGHUMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Serie :
SIPMOS®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 25V
Potenza - Max :
2W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-DSO-8
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per BSO612CVGHUMA1
Schede tecniche :
BSO612CVGHUMA1.pdf
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