BSO612CVGHUMA1 Scheda dati
Specifiche per BSO612CVGHUMA1
Numero parte : BSO612CVGHUMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Serie : SIPMOS®
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 25V
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-DSO-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1050655 pezzi
Prezzo di riferimento
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