SCT2H12NZGC11 - MOSFET N-CH 1700V 3.7A

codice articolo del costruttore

SCT2H12NZGC11

Numero parte interna

AX-SCT2H12NZGC11

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1700V 3.7A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

74810 Pieces

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Specifiche per SCT2H12NZGC11

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SCT2H12NZGC11

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 1700V 3.7A

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.7A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 900µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 18V

Vgs (massimo) : +22V, -6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 184pF @ 800V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 35W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3PFM

Pacchetto / caso : TO-3PFM, SC-93-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SCT2 , SCT2H1

Documenti per SCT2H12NZGC11

Schede tecniche : SCT2H12NZGC11.pdf

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