SCT2H12NZGC11 Scheda dati
Specifiche per SCT2H12NZGC11
Numero parte : SCT2H12NZGC11
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 18V
Vgs (massimo) : +22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 184pF @ 800V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 35W (Tc)
temperatura di esercizio : 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3PFM
Pacchetto / caso : TO-3PFM, SC-93-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
74810 pezzi
Prezzo di riferimento
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