TPC6012(TE85L,F,M) - MOSFET N-CH 20V 6A VS6

codice articolo del costruttore

TPC6012(TE85L,F,M)

Numero parte interna

AX-TPC6012(TE85L,F,M)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 6A VS6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

12808 Pieces

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Specifiche per TPC6012(TE85L,F,M)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPC6012(TE85L,F,M)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 6A VS6

Serie : U-MOSIV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 700mW (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : VS-6 (2.9x2.8)

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per TPC6012(TE85L,F,M)

Schede tecniche : TPC6012(TE85L,F,M).pdf

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