TPC6012(TE85L,F,M) Scheda dati
Specifiche per TPC6012(TE85L,F,M)
Numero parte : TPC6012(TE85L,F,M)
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 6A VS6
Serie : U-MOSIV
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 700mW (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : VS-6 (2.9x2.8)
Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 6A VS6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
12808 pezzi
Prezzo di riferimento
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