DMN3190LDW-7 - MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

codice articolo del costruttore

DMN3190LDW-7

Numero parte interna

AX-DMN3190LDW-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4870905 Pieces

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Specifiche per DMN3190LDW-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN3190LDW-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 87pF @ 20V

Potenza - Max : 320mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-363

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN3 , DMN319

Documenti per DMN3190LDW-7

Schede tecniche : DMN3190LDW-7.pdf

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