DMN3190LDW-7 Scheda dati
Specifiche per DMN3190LDW-7
Numero parte : DMN3190LDW-7
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 87pF @ 20V
Potenza - Max : 320mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-363
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-DMN3190LDW-7
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4870905 pezzi
Prezzo di riferimento
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