PHT6NQ10T,135 - MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

codice articolo del costruttore

PHT6NQ10T,135

Numero parte interna

AX-PHT6NQ10T,135

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1408025 Pieces

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Specifiche per PHT6NQ10T,135

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PHT6NQ10T,135

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

temperatura di esercizio : -65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-73

Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per PHT6NQ10T,135

Schede tecniche : PHT6NQ10T,135.pdf

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