PHT6NQ10T,135 Scheda dati
Specifiche per PHT6NQ10T,135
Numero parte : PHT6NQ10T,135
fabbricante : Nexperia USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Serie : TrenchMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
temperatura di esercizio : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SC-73
Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1408025 pezzi
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