DMN2011UFDF-7 - MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
2454625 Pieces
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Specifiche per DMN2011UFDF-7
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
DMN2011UFDF-7
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
14.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2248pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.1W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
U-DFN2020-6 (Type F)
Pacchetto / caso :
6-UDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per DMN2011UFDF-7
Schede tecniche :
DMN2011UFDF-7.pdf
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