DMN2011UFDF-7 Scheda dati
Specifiche per DMN2011UFDF-7
Numero parte : DMN2011UFDF-7
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 14.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2248pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.1W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : U-DFN2020-6 (Type F)
Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2454625 pezzi
Prezzo di riferimento
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